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专利名称	极化晶体畴结构无损表征的方法、系统及其应用
申请号	CN201610520376.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107576632A	公开（授权）日	2018.01.12
申请（专利权）人	中国科学院福建物质结构研究所	发明（设计）人	梁万国;陈怀熹;陈立元;邹小林;缪龙;冯新凯;李广伟
主分类号	G01N21/47(2006.01)I	IPC主分类号	G01N21/47(2006.01)I;G01N21/49(2006.01)I;G01N21/01(2006.01)I;G02B21/00(2006.01)I
专利有效期	极化晶体畴结构无损表征的方法、系统及其应用至极化晶体畴结构无损表征的方法、系统及其应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种极化晶体的无损检测方法、系统及其应用，用于极化晶体畴域结构重要指标参数(包括占空比、极化周期等)的无损状态下的表征。该对极化晶体施加一定的电场，不改变极化晶体畴结构的前提下放大极化晶体折射率的变化；通过图像采集、衍射光强采集和数据分析，得到极化晶体畴结构的性能参数。通过对晶体施加一定的电场放大折射率变化量却又不会改变极化晶体畴结构，通过图像采集粗测、衍射光强分布图采集分析，采用严格耦合波分析方法(RCWA)进行优化分析，从而在晶体无损状态下获得极化晶体精确的畴域结构相关性能参数。