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一种激光快速制备Half?Heusler材料的方法

  • 申请号:CN201710585659.1
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 公开(公开)号:CN107475546A
  • 公开(公开)日:2017.12.15
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种激光快速制备Half?Heusler材料的方法
申请号 CN201710585659.1 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN107475546A 公开(授权)日 2017.12.15
申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 陈立东;邢云飞;柏胜强;刘睿恒
主分类号 C22C1/04(2006.01)I IPC主分类号 C22C1/04(2006.01)I;C22C30/00(2006.01)I;B22F1/00(2006.01)I
专利有效期 一种激光快速制备Half?Heusler材料的方法 至一种激光快速制备Half?Heusler材料的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种激光快速制备Half?Heusler材料的方法,包括:按照Half?Heusler化合物的化学通式ABX称取A、B、X的粉末原料,混合后并置于坩埚模具中;将装有粉末原料的坩埚模具置于真空或惰性气氛中,利用激光熔融技术得到Half?heusler材料的铸锭,所述激光熔融技术为通过选区激光加热使粉末原料快速熔融;将所得铸锭研磨成粉、过筛后,再进行放电等离子体烧结,得到所述Half?Heusler材料。本发明首次结合激光制备技术和放电等离子烧结技SPS术制备高性能Half?Heusler材料,该方法具有速度快,对设备要求低,能耗小、适合大批量生产的特点。

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