专利详情

专利名称	力敏薄膜厚度精确可控的差压传感结构及其制备方法
申请号	CN201610023873.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106969874A	公开（授权）日	2017.07.21
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李昕欣;邹宏硕;王家畴
主分类号	G01L13/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01L13/00(2006.01)I
专利有效期	力敏薄膜厚度精确可控的差压传感结构及其制备方法至力敏薄膜厚度精确可控的差压传感结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种力敏薄膜厚度精确可控的差压传感结构及其制备方法，包括：单晶硅基片；压力参考腔体；位于压力参考腔体上的多晶硅力敏感薄膜、位于多晶硅力敏感薄膜上表面的单晶硅应力集中结构、位于单晶硅应力集中结构上表面的压敏电阻；过孔，穿过单晶硅基片的背面与压力参考腔体相通。本发明采用体硅下薄膜工艺制作，多晶硅力敏感薄膜被沉积在体硅加工后的单晶硅层下表面且薄膜厚度精确可控，单晶硅层与多晶硅力敏感薄膜之间夹着一层氧化硅层；通过干法自停止刻蚀单晶硅层形成单晶硅应力集中结构，最后去除氧化硅层暴露出多晶硅力敏感薄膜。本发明大大提高了高灵敏度压力传感器敏感薄膜结构加工的一致性和高成品率，适合大批量生产。