专利详情

专利名称	SiC氧化中SiC-SiO₂界面碳残留浓度的测定方法及其应用
申请号	CN201811349529.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN109283298A	公开（授权）日	2019.01.29
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘新宇;王盛凯;白云;汤益丹;韩忠霖;杨成樾;田晓丽;陈宏
主分类号	G01N33/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01N33/00(2006.01)I
专利有效期	SiC氧化中SiC-SiO₂界面碳残留浓度的测定方法及其应用至SiC氧化中SiC-SiO₂界面碳残留浓度的测定方法及其应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种SiC氧化中SiC?SiO₂界面碳残留浓度的测定方法，包括：提供一个包含SiC?SiO₂界面的碳化硅衬底，所述包含SiC?SiO₂界面的碳化硅衬底由SiC氧化获得；利用离子注入向所述碳化硅衬底内注入¹⁸O同位素，¹⁸O同位素与SiC?SiO₂界面碳生成一氧化碳C¹⁸O；加热所述碳化硅衬底使一氧化碳C¹⁸O脱附；收集脱附出来的一氧化碳C¹⁸O，并检测其质量；根据一氧化碳C¹⁸O的质量计算SiC?SiO₂界面碳残留浓度。本发明的方法操作简单，准确度高，适用于通过各种方法氧化SiC衬底得到的SiC?SiO₂界面碳残留，通过筛选合格碳残留浓度的SiC衬底，可以提高产品的稳定性和可靠性。

交易流程

1、源头对接，价格透明

2、平台验证，实名审核

3、合同监控，代办手续

4、专员跟进，交易保障

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