
SiC氧化中SiC-SiO2界面碳残留浓度的测定方法及其应用
- 申请号:CN201811349529.9
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN109283298A
- 公开(公开)日:2019.01.29
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | SiC氧化中SiC-SiO2界面碳残留浓度的测定方法及其应用 | ||
申请号 | CN201811349529.9 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN109283298A | 公开(授权)日 | 2019.01.29 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 刘新宇;王盛凯;白云;汤益丹;韩忠霖;杨成樾;田晓丽;陈宏 |
主分类号 | G01N33/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N33/00(2006.01)I |
专利有效期 | SiC氧化中SiC-SiO2界面碳残留浓度的测定方法及其应用 至SiC氧化中SiC-SiO2界面碳残留浓度的测定方法及其应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 一种SiC氧化中SiC?SiO2界面碳残留浓度的测定方法,包括:提供一个包含SiC?SiO2界面的碳化硅衬底,所述包含SiC?SiO2界面的碳化硅衬底由SiC氧化获得;利用离子注入向所述碳化硅衬底内注入18O同位素,18O同位素与SiC?SiO2界面碳生成一氧化碳C18O;加热所述碳化硅衬底使一氧化碳C18O脱附;收集脱附出来的一氧化碳C18O,并检测其质量;根据一氧化碳C18O的质量计算SiC?SiO2界面碳残留浓度。本发明的方法操作简单,准确度高,适用于通过各种方法氧化SiC衬底得到的SiC?SiO2界面碳残留,通过筛选合格碳残留浓度的SiC衬底,可以提高产品的稳定性和可靠性。 |
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