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表面渐变散射型包层光功率剥离器制备装置及方法

  • 申请号:CN201811018791.5
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
  • 公开(公开)号:CN109031525A
  • 公开(公开)日:2018.12.18
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 表面渐变散射型包层光功率剥离器制备装置及方法
申请号 CN201811018791.5 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN109031525A 公开(授权)日 2018.12.18
申请(专利权)人 中国科学院半导体研究所 发明(设计)人 林学春;邹淑珍;陈寒;孙静;于海娟;张志研;王奕博
主分类号 G02B6/245(2006.01)I IPC主分类号 G02B6/245(2006.01)I;H01S3/067(2006.01)I
专利有效期 表面渐变散射型包层光功率剥离器制备装置及方法 至表面渐变散射型包层光功率剥离器制备装置及方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本公开提供了一种表面渐变散射型包层光功率剥离器制备装置及方法,其中制备装置包括:反应筒、固定架、注入孔和流量计;反应筒底端设有连接孔,待腐蚀光纤穿过连接孔,且与反应筒底端密封连接;待腐蚀光纤与固定架连接;注入孔设置在反应筒上;装有腐蚀液的容器通过管路与注入孔相连,将腐蚀液注入反应筒中,管路上还设置有流量计。本公开提供的渐变腐蚀装置根据待腐蚀光纤剥离区间内,沿激光传输方向,包层表面的腐蚀时间沿待腐蚀光纤轴向连续地由小增大,对应包层表面的结晶体颗粒密度逐渐增大,以实现包层光散射率逐渐增大的效果。

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