专利详情

专利名称	基于两步微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法
申请号	CN201810521158.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108766887A	公开（授权）日	2018.11.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘新宇;汤益丹;王盛凯;白云;杨成樾
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	基于两步微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法至基于两步微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种基于两步微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法，包括：在凹槽栅刻蚀后，利用微波等离子体将凹槽栅表面的碳化硅氧化为二氧化硅，形成凹槽栅氧化层，其中形成凹槽栅氧化层的步骤包括：将进行凹槽栅刻蚀后的碳化硅衬底放置在微波等离子体发生装置中；通入第一含氧气体，产生的氧等离子体以第一升温速度升温到第一温度，在所述第一温度和第一压力下进行低温等离子体氧化；将氧等离子体以第二升温速度升温到第二温度，通入第二含氧气体，在所述第二温度和第二压力下进行高温等离子体氧化，直到生成预定厚度的二氧化硅；停止通入含氧气体，反应结束。本发明可以显著提高碳化硅的氧化效率，改善界面质量，形成均匀的栅介质层。