
具有微孔微纳结构双耦合谐振腔的微波等离子体发生装置
- 申请号:CN201810521198.6
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN108770174A
- 公开(公开)日:2018.11.06
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 具有微孔微纳结构双耦合谐振腔的微波等离子体发生装置 | ||
申请号 | CN201810521198.6 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN108770174A | 公开(授权)日 | 2018.11.06 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 刘新宇;汤益丹;王盛凯;白云;杨成樾 |
主分类号 | H05H1/46(2006.01)I | IPC主分类号 | H05H1/46(2006.01)I |
专利有效期 | 具有微孔微纳结构双耦合谐振腔的微波等离子体发生装置 至具有微孔微纳结构双耦合谐振腔的微波等离子体发生装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 一种具有微孔/微纳结构双耦合谐振腔的微波等离子体发生装置,包括外腔体和设置在所述外腔体内的多个微孔/微纳结构双耦合谐振腔,其中所述谐振腔包括一圆柱形腔体,所述圆柱形腔体的周壁上均匀分布由多个微孔形成的微孔阵列,所述微孔的直径是波长的奇数倍,所述腔体的内壁上具有金属微纳结构,所述金属微纳结构的周期尺寸为λ/n,λ为入射波长,n为谐振腔材料的折射率。本发明通过优化设计双耦合谐振方式,来减少引导模和泄漏模的损耗,达到在固定区域谐振最大程度增强的目的,并能提高等离子体的均匀性,保证光耦合和场空间局域增强特性的前提下,可改善吸收损耗问题,另外多个谐振腔独立控制,可以有效控制等离子体的温度。 |
交易流程
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专利 -
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