专利详情

专利名称	基于两步微波等离子体氧化的碳化硅氧化方法
申请号	CN201810521200.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108666206A	公开（授权）日	2018.10.16
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘新宇;汤益丹;王盛凯;白云;杨成樾
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	基于两步微波等离子体氧化的碳化硅氧化方法至基于两步微波等离子体氧化的碳化硅氧化方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种基于两步微波等离子体氧化的碳化硅氧化方法，包括：提供碳化硅衬底；将所述碳化硅衬底放置在微波等离子体发生装置中；通入第一含氧气体，产生的氧等离子体以第一升温速度升温到第一温度，在所述第一温度和第一压力下进行低温等离子体氧化；将氧等离子体以第二升温速度升温到第二温度，通入第二含氧气体，在所述第二温度和第二压力下进行高温等离子体氧化，直到生成预定厚度的二氧化硅；停止通入含氧气体，反应结束；其中，第一温度为300?400℃，第二温度为700?900℃，所述第一压力为100?200mTorr，所述第二压力为700?900mTorr，所述第一升温速度大于所述第二升温速度。本发明可以显著提高碳化硅的氧化效率，有效改善界面质量。