专利详情

专利名称	一种GaAs基LFET太赫兹红外光探测器和制备方法
申请号	CN201810090440.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108428764A	公开（授权）日	2018.08.21
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	邓惠勇;潘昌翊;殷子薇;谢经辉;张祎;李世民;王超;戴宁
主分类号	H01L31/112(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/112(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种GaAs基LFET太赫兹红外光探测器和制备方法至一种GaAs基LFET太赫兹红外光探测器和制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种GaAs基LFET太赫兹红外光探测器和制备方法，该探测器包括吸收区、阻挡区、源漏区、介电区和栅区六个部分，制备方法包括五个步骤，即通过光刻、离子注入、等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)、热蒸发技术在高阻GaAs基底依次形成吸收区，源漏区(与阻挡区)，介电区，源漏电极，以及栅区。本发明的优点是：栅区电压导致吸收区载流子耗尽有效降低了光生电子?空穴对的复合速率，提高了内量子效率，从而提高了传统杂质光电导型光子探测器的探测率，并且与当前的半导体工艺技术相兼容。