专利详情

专利名称	一种应用于中子散射腔的屏蔽体及其设计方法
申请号	CN201810055760.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108345028A	公开（授权）日	2018.07.31
申请（专利权）人	中国科学院高能物理研究所;东莞中子科学中心	发明（设计）人	何伦华;卢怀乐;康乐;陈洁;罗平
主分类号	G01T3/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01T3/00(2006.01)I;G01T7/00(2006.01)I
专利有效期	一种应用于中子散射腔的屏蔽体及其设计方法至一种应用于中子散射腔的屏蔽体及其设计方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及中子辐射技术领域，尤指一种应用于中子散射腔的屏蔽体及其设计方法；所述的屏蔽体为采用中子吸收材料制作成的中子吸收体，中子吸收体由四个不规则形状的内壁屏蔽体和若干个空间屏蔽体装配而成，上壁屏蔽体、下壁屏蔽体、左壁屏蔽体和右壁屏蔽体分别安装在散射腔内的上壁、下壁、左壁和右壁，使得散射腔内壁上附着大面积中子吸收材料，其中上壁屏蔽体和下壁屏蔽体上设计有通气孔及沟槽；空间屏蔽体通过上壁屏蔽体和下壁屏蔽体上设计的沟槽安装在散射腔内，将散射腔分割成若干个不同空间；成功消除了中子被散射腔体和高温、高压及强磁场等样品环境设备杂散后形成的干扰信号，因而降低了谱仪背底，提升了中子散射数据的纯净度。