专利详情

专利名称	氮化物半导体发光器件及其制作方法
申请号	CN201710022586.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108305918A	公开（授权）日	2018.07.20
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	孙钱;冯美鑫;周宇;高宏伟;杨辉
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I;H01L33/16(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I
专利有效期	氮化物半导体发光器件及其制作方法至氮化物半导体发光器件及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种氮化物半导体发光器件及其制作方法。所述氮化物半导体发光器件包括外延结构，所述外延结构具有第一面和与第一面相背对的第二面，所述第一面为面并位于所述外延结构的n型侧，所述第二面位于所述外延结构的p型侧，所述外延结构的n型侧与n型电极电性接触，p型侧与p型电极电性接触，并且所述第一面形成有脊型波导结构。本申请的氮化物半导体发光器件，特别是III?V族氮化物半导体激光器或超辐射发光二极管具有电阻低、内损耗低、阈值电流小、热阻小、稳定性和可靠性好等优点，同时其制备工艺简单易实施。