一种红外探测器及其制备方法
- 申请号：CN201611160619.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 公开(公开)号：CN108231926A
- 公开(公开)日：2018.06.29
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种红外探测器及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201611160619.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN108231926A | 公开（授权）日 | 2018.06.29 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 黄勇;熊敏;杨辉 |
| 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/109(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种红外探测器及其制备方法 至一种红外探测器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种红外探测器，从下至上依次包括：衬底、p型InAs/GaSb超晶格下接触层、p型InAs/GaSb超晶格吸收层、InGaAs/InAs/InAsSb/InAs/InGaAs超晶格势垒层、p型InAs/GaSb超晶格上接触层；以及，设置于p型InAs/GaSb超晶格下接触层的上端面的下电极和设置于p型InAs/GaSb超晶格上接触层的上端面的上电极。本发明使用无Al的InGaAs/InAs/InAsSb/InAs/InGaAs?W型超晶格作为势垒层，材料容易外延生长，并且长期稳定性和可靠型较高。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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成功 - 06 支付尾款
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平台保障
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