一种MnWO4纳米板光敏场效应晶体管及其制造方法
- 申请号：CN201711223018.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院金属研究所
- 公开(公开)号：CN108198896A
- 公开(公开)日：2018.06.22
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种MnWO4纳米板光敏场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201711223018.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN108198896A | 公开（授权）日 | 2018.06.22 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 刘宝丹;张兴来;姜亚南;刘鲁生;杨文进;李晶;姜辛 |
| 主分类号 | H01L31/113(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/113(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I |
| 专利有效期 | 一种MnWO4纳米板光敏场效应晶体管及其制造方法 至一种MnWO4纳米板光敏场效应晶体管及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明属于无机半导体纳米材料技术和器件应用领域，特别是指一种MnWO4纳米板光敏场效应晶体管及其制造方法。本发明MnWO4纳米板光敏场效应晶体管，自下至上依次包括栅极金属电极、Si衬底、SiO2绝缘层，SiO2绝缘层上设置单根MnWO4纳米板、源极金属电极和漏极金属电极，源极金属电极和漏极金属电极分别覆盖在单根MnWO4纳米板的两端，且形成欧姆接触。本发明通过利用微弧氧化方法，生长大面积、高产量和结晶质量优异的MnWO4纳米板，进而利用其制备背栅结构的MnWO4纳米板光敏场效应晶体管。本发明的方法工艺简单、成本低、可大规模生长高结晶质量的MnWO4纳米板材料，便于产业化推广。 | ||
交易流程
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