专利详情

专利名称	一种三元黄铜矿半导体晶体砷锗镉制备方法
申请号	CN201711456679.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108193270A	公开（授权）日	2018.06.22
申请（专利权）人	中国科学院合肥物质科学研究院	发明（设计）人	王振友;吴海信;毛明生;倪友保;黄昌保;陈诗静;马佳仁
主分类号	C30B29/10(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/10(2006.01)I;C30B11/02(2006.01)I
专利有效期	一种三元黄铜矿半导体晶体砷锗镉制备方法至一种三元黄铜矿半导体晶体砷锗镉制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种三元黄铜矿半导体晶体砷锗镉制备方法；首先在惰性气体手套箱中进行高纯Cd、Ge、As单质的称料和装料；接着在真空排气台上利用高纯Ar气多次清洗生长坩埚，最后充入适当压力的Ar惰性气体以抑制组分挥发。采用类单温区方式合成原料，通过减小坩埚内的自由空间，控制Cd、As挥发量；在化合完成后机械摇晃熔体，促进原料均匀。合成完成后直接进行生长，采用改进的水平布里奇曼法，通过电机使炉体与坩埚产生相对位移，逐渐冷凝熔体获得晶体。本方法既可避免垂直布里奇曼法生长晶体容易开裂的问题，同时还可避免温度梯度冷凝法温度微小波动产生杂质相的问题。本方法制备工艺简单，生长的晶体具有氧污染少，组分接近理想化学计量比，不易开裂以及无杂质相等优点。