一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法
- 申请号：CN201611000544.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN108070835A
- 公开(公开)日：2018.05.25
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法 | ||
| 申请号 | CN201611000544.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN108070835A | 公开（授权）日 | 2018.05.25 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 曹逊;金平实;孙光耀;李荣 |
| 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法 至一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法，所述薄膜由通过磁控溅射依次形成在衬底上的三氧化二钒籽晶层以及掺杂二氧化钒薄膜层构成，所述掺杂二氧化钒薄膜层的化学组成为WxTiyV1?x?yO2，其中0＜x＜0.1，0＜y＜0.2，x：y=（0.1～0.5）：1。本发明制备的二氧化钒薄膜结晶质量高，完全无杂相，且具有较高的电阻温度系数。 | ||
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