多层网涂硼厚GEM中子探测器
- 申请号：CN201810092884.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院高能物理研究所
- 公开(公开)号：CN108037524A
- 公开(公开)日：2018.05.15
- 法律状态：实质审查的生效
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 多层网涂硼厚GEM中子探测器 | ||
| 申请号 | CN201810092884.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN108037524A | 公开（授权）日 | 2018.05.15 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院高能物理研究所 | 发明（设计）人 | 谢宇广;吕军光;李更兰 |
| 主分类号 | G01T1/16(2006.01)I | IPC主分类号 | G01T1/16(2006.01)I |
| 专利有效期 | 多层网涂硼厚GEM中子探测器 至多层网涂硼厚GEM中子探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本申请公开了一种多层网涂硼厚GEM中子探测器，包括平行且并排设置的漂移电极和读出电极，漂移电极和读出电极之间平行设置有中子转换体；其中，中子转换体包括至少一层金属网，金属网的表面涂硼，且漂移电极面向读出电极的表面涂硼；中子转换体与漂移电极之间平行设置有厚型气体电子倍增器。本发明的多层网涂硼厚GEM中子探测器将转换区和倍增区分开，转换区可基于多个涂硼的金属网基底可大大提高中子探测效率，不会浪费昂贵的硼10材料，且倍增区的厚GEM耐用，增益容易控制。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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平台保障
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