专利详情

专利名称	基于单个粒子的梯度相位实现Si波导单向散射的方法
申请号	CN201711334932.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107942436A	公开（授权）日	2018.04.20
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	罗先刚;蒲明博;郭迎辉;马晓亮;李雄
主分类号	G02B6/12(2006.01)I	IPC主分类号	G02B6/12(2006.01)I
专利有效期	基于单个粒子的梯度相位实现Si波导单向散射的方法至基于单个粒子的梯度相位实现Si波导单向散射的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于单个粒子的梯度相位实现Si波导单向散射的方法，用于解决现有的Si波导单向散射依赖于多个结构之间的干涉，且不能实现散射方向切换的问题。该方法通过单个粒子的自旋?轨道相互作用，在沿波导传播的方向产生符号(正/负)与入射光手性相关的梯度相位，其作用等效为正入射的圆偏振光提供一个横向传播的波矢，从而实现单向散射，通过改变入射光的手性可以实现不同散射方向的切换，避免了对多个结构之间干涉的依赖，使得系统的工作带宽、鲁棒性以及灵活性得到大幅提高。