专利详情

专利名称	一种制备钴基氧化物超薄纳米片的方法
申请号	CN201711156450.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107902702A	公开（授权）日	2018.04.13
申请（专利权）人	中国科学院大学	发明（设计）人	刘向峰;高睿;黄淇;曾子建;胡中波
主分类号	C01G51/04(2006.01)I	IPC主分类号	C01G51/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种制备钴基氧化物超薄纳米片的方法至一种制备钴基氧化物超薄纳米片的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种制备钴基氧化物超薄纳米片的方法，属于纳米材料制备技术领域。本方法在低温液相搅拌条件下即可制得有机前驱体，再通过严格控制煅烧温度、煅烧时间煅烧气氛，即可制得钴基氧化物超薄纳米片，惰性气氛中煅烧可得到氧化亚钴纳米片。同时将本方法中的一部分钴盐代替为乙酸镍，乙酸锰，均可以得到具有尖晶石结构的超薄钴基氧化物纳米片。本发明方法可以直接在室温下合成前驱体，快捷高效，煅烧步骤简单省时。本方法制备的钴基氧化物纳米片结晶性良好，厚度分布均匀。本方法使用的原料成本低廉、易于获得、且对环境污染较小，反应条件温和且易于控制，反应溶剂可直接回收再利用，因而易于实现工业化生产。