磁控溅射制备A相二氧化钒薄膜的方法
- 申请号：CN201610744315.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN107779831A
- 公开(公开)日：2018.03.09
- 法律状态：实质审查的生效
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 磁控溅射制备A相二氧化钒薄膜的方法 | ||
| 申请号 | CN201610744315.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN107779831A | 公开（授权）日 | 2018.03.09 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 曹逊;金平实;孙光耀;李荣 |
| 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I |
| 专利有效期 | 磁控溅射制备A相二氧化钒薄膜的方法 至磁控溅射制备A相二氧化钒薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及磁控溅射制备A相二氧化钒薄膜的方法，以金属钒靶或氧化钒陶瓷靶作为靶材，以氩气为溅射气体、以及以氧气为反应气体对所述靶材进行溅射以在衬底上形成A相二氧化钒薄膜。A相二氧化钒的晶胞参数为aA=0.844nm,bA=0.844nm,cA=0.767nm，采用衬底晶格参数与A相二氧化钒匹配为本发明的关键。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言