专利详情

专利名称	辐射射线检测装置及其制备方法
申请号	CN201710844083.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107731652A	公开（授权）日	2018.02.23
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	薛宁;祁至美;孙建海;刘春秀
主分类号	H01J47/08(2006.01)I	IPC主分类号	H01J47/08(2006.01)I;H01J47/00(2006.01)I
专利有效期	辐射射线检测装置及其制备方法至辐射射线检测装置及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	辐射射线检测装置及其制备方法，其中辐射射线检测装置包括：高导电硅基底，其包括：周期排列的至少一个基底单元，每一基底单元包括：内层基底、包围内层基底的外层基底及由内层基底和外层基底围成的空腔；第一绝缘层，置于高导电硅基底上表面，其结构与高导电硅基底相对应；第二绝缘层，置于高导电硅基底下表面，其具有至少一个正对内层基底的凹槽，该凹槽内形成有金属电极，以作为至少一个正极；具有至少一个正对外层基底的凹槽，该凹槽内形成有金属电极，以作为至少一个负极；玻璃体，置于第一绝缘层的上表面，与正极键合。正极的接触面积远小于负极接触面积，且外层基底包围内层基底结构可进一步增大空腔面积，以明显提高辐射粒子的检测效率。