专利详情

专利名称	一种异质种子中孔单晶金红石二氧化钛可控生长制备方法
申请号	CN201610486297.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107540014A	公开（授权）日	2018.01.05
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	刘岗;吴亭亭;甄超;成会明
主分类号	C01G23/053(2006.01)I	IPC主分类号	C01G23/053(2006.01)I;B01J21/06(2006.01)I
专利有效期	一种异质种子中孔单晶金红石二氧化钛可控生长制备方法至一种异质种子中孔单晶金红石二氧化钛可控生长制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及异质种子中孔金属氧化物制备领域，具体为一种异质种子中孔单晶金红石二氧化钛可控生长的制备方法。该方法通过湿化学过程以四氯化钛作为前驱体，含有异质种子的二氧化硅球作为模板，水热生长具有特定晶面暴露的金红石二氧化钛，刻蚀模板后得到含异质种子的中孔单晶金红石二氧化钛，能够实现异质种子外延生长助催化剂，解决了催化剂与助催化剂界面接触质量较差，光催化效率较低的问题。与传统种子模板法不同，本发明将四氯化钛前驱体和含异质种子二氧化硅模板装入反应釜中，经加热处理，刻蚀后得到特定晶面暴露的中孔单晶金红石二氧化钛。