专利详情

专利名称	AlN基板高效散热HEMT器件及其制备方法
申请号	CN201710671295.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107481982A	公开（授权）日	2017.12.15
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	汪连山;吉泽生;赵桂娟;孟钰淋;李方政;杨少延;王占国
主分类号	H01L23/373(2006.01)I	IPC主分类号	H01L23/373(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I
专利有效期	AlN基板高效散热HEMT器件及其制备方法至AlN基板高效散热HEMT器件及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本公开提供了一种AlN基板高效散热HEMT器件，自下而上包括：AlN陶瓷基板、AlN成核层、AlN高阻层、GaN或In_xGa_1?xN沟道层、Al_yIn_1?yN空间电荷层、以及Al_zGa_1?zN势垒层；其中，所述AlN陶瓷基板与所述AlN成核层之间键合连接，所述AlN陶瓷基板用于对所述HEMT器件进行散热。本公开还提供了一种AlN基板高效散热HEMT器件的制备方法。本公开HEMT器件及其制备方法，散热能力大幅提高，成本相对较低，工艺简单，有效提高了击穿电压，减少了寄生电容，提高了HEMT器件的性能。