专利详情

专利名称	太赫兹成像阵列芯片及其制作方法、成像系统
申请号	CN201710783618.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107478336A	公开（授权）日	2017.12.15
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	薛宁;孙建海;刘春秀
主分类号	G01J5/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01J5/00(2006.01)I
专利有效期	太赫兹成像阵列芯片及其制作方法、成像系统至太赫兹成像阵列芯片及其制作方法、成像系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种太赫兹成像阵列芯片及其制作方法、成像系统。其中，太赫兹成像阵列芯片，由太赫兹成像单元按照像素点等间距排列，该太赫兹成像单元包括：衬底；太赫兹吸收层结构板，位于衬底上方，与衬底之间存在距离；悬空驱动臂，位于太赫兹吸收层结构板的两侧，其中一端固定，一端悬空，悬空的一侧与太赫兹吸收层结构板固定，包括两层不同膨胀系数的材料；以及固定结构，连接衬底和悬空驱动臂的固定端。该太赫兹成像阵列芯片具有自动的温度补偿功能；并采用激光及CCD光学信号采集系统直接成像，省去了与输出电路的集成，结构简单，成本较低。