
一种原位生长有机无机钙钛矿单晶薄膜装置
- 申请号:CN201710650507.5
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:石家庄铁道大学;深圳先进技术研究院
- 公开(公开)号:CN107400918A
- 公开(公开)日:2017.11.28
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种原位生长有机无机钙钛矿单晶薄膜装置 | ||
申请号 | CN201710650507.5 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN107400918A | 公开(授权)日 | 2017.11.28 |
申请(专利权)人 | 石家庄铁道大学;深圳先进技术研究院 | 发明(设计)人 | 赵晋津;孔国丽;王晨;欧云;甄云策;刘正浩;苏晓;王一 |
主分类号 | C30B19/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B19/00(2006.01)I |
专利有效期 | 一种原位生长有机无机钙钛矿单晶薄膜装置 至一种原位生长有机无机钙钛矿单晶薄膜装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种单晶薄膜生长装置,包括主槽和固定槽,所述主槽内部放置有固定槽,所述固定槽内设有第一卡槽、第二卡槽和第三卡槽,所述固定槽前后侧面设有侧通液口,所述固定槽底部设有底通液口,固定槽前后侧面设有侧通液口,固定槽底部设有底通液口可以避免薄膜生长过程中由于大气压力而产生的阻力,主槽底部边缘设有圆角,可以防止薄膜生长过程中溶液中的溶质析出在主槽边角处沉积,便于设备使用后的清洗,固定槽内外壁边角处设有圆角可以保证在薄膜生长过程中溶液能够顺利流通,固定槽内设有第一卡槽、第二卡槽和第三卡槽,可以同时进行两组薄膜生长实验,避免偶然因素对薄膜生长产生影响。 |
交易流程
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