专利详情

专利名称	一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用
申请号	CN201710404219.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107338478A	公开（授权）日	2017.11.10
申请（专利权）人	中国科学院福建物质结构研究所	发明（设计）人	黄一枝;张浩;程文旦;柴国良
主分类号	C30B29/46(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/46(2006.01)I;C30B9/06(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I
专利有效期	一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用 至一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请涉及无机非线性光学材料领域，具体讲，涉及一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用。本申请的铅镓锗硫晶体的化学式为PbGa2GeS6，属正交晶系，空间群Fdd2，单胞参数为：α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝16。本申请的晶体具有优良的非线性光学性能，其粉末倍频强度和激光损伤阈值分别为AgGaS2的0.5倍和5倍。

交易流程

• 01 选取所需
  专利
• 02 确认专利
  可交易
• 03 签订合同
• 04 上报材料
• 05 确认变更
  成功
• 06 支付尾款
• 07 交付证书

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