专利详情

专利名称	一种半导体激光器以及制作方法以及设备
申请号	CN201710525195.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107302184A	公开（授权）日	2017.10.27
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	张建伟;宁永强;张星;贾鹏;秦莉;王立军
主分类号	H01S5/20(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/20(2006.01)I
专利有效期	一种半导体激光器以及制作方法以及设备至一种半导体激光器以及制作方法以及设备	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体激光器以及制作方法以及设备，该半导体激光器包括：衬底；设置在衬底一侧的N面波导层；设置在衬底一侧且背离N面波导层的N面电极；设置在N面波导层一侧且背离衬底的发光区；设置在发光区一侧且背离N面波导层的P面波导层；设置在P面波导层一侧且背离发光区的P面盖层；设置在P面盖层一侧且背离P面波导层的P面电极；设置在P面盖层上且内嵌至P面电极中的电流阻挡层；其中，电流阻挡层将P面电极划分为多个电流注入区域，且电流注入区域的大小由P面电极的中间至两端逐步减小。该半导体激光器具备高输出功率以及高光束质量的特点。