专利详情

专利名称	芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法
申请号	CN201710399111.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107256911A	公开（授权）日	2017.10.17
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	谢海忠;闫建昌;魏学成;魏同波;宋昌斌;张韵;王军喜;李晋闽
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I
专利有效期	芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法至芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法，包括以下步骤：将P、N电极分开的深紫外芯片固定在石英透镜上；在深紫外芯片侧面填充液体胶，使得液体胶的上表面与所述深紫外芯片的P、N电极平齐，并固化液体胶；将第一AuSn片固定在所述深紫外芯片P、N电极上方并且覆盖在液体胶上表面，并预留P、N电极的隔离道；将第二AuSn片固定在基板上，所述第二AuSn片与所述第一AuSn片上下对齐；将所述第一AuSn片和所述第二AuSn片共晶融合，完成封装。本发明将芯片尺寸工艺用在深紫外LED封装上，提高了封装效率，降低了封装成本；共晶封装工艺解决了深紫外LED芯片的散热问题，提高了深紫外LED的寿命。