
一种缺钙型铝掺杂羟基磷灰石粉体及其制备方法和应用
- 申请号:CN201610130121.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号:CN107161973A
- 公开(公开)日:2017.09.15
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种缺钙型铝掺杂羟基磷灰石粉体及其制备方法和应用 | ||
申请号 | CN201610130121.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN107161973A | 公开(授权)日 | 2017.09.15 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 祝迎春;王铭 |
主分类号 | C01B25/45(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B25/45(2006.01)I;C01B25/32(2006.01)I;A61L27/12(2006.01)I;A61L27/50(2006.01)I;C02F1/28(2006.01)I;C02F1/58(2006.01)I |
专利有效期 | 一种缺钙型铝掺杂羟基磷灰石粉体及其制备方法和应用 至一种缺钙型铝掺杂羟基磷灰石粉体及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种缺钙型铝掺杂羟基磷灰石粉体及其制备方法和应用,所述缺钙型铝掺杂羟基磷灰石材料的组成通式为Ca10?1.5xAlx(PO4)6(OH)2,其中0<x≤2,所述缺钙型铝掺杂羟基磷灰石材料的表面具有钙离子空位以使该表面呈负电性。本发明制备方法操作简单,产量较大。所使用的原料成本低廉,适用于规模化生产,具有工业应用前景和价值。本发明的副产物只有水,产物羟基磷灰石结构中不会引入除了铝以外的外源离子,因而可以消除杂质离子的影响。 |
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