专利详情

专利名称	一种声表面波传感器芯片结构及传感器
申请号	CN201710198913.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107145931A	公开（授权）日	2017.09.08
申请（专利权）人	中国科学院声学研究所	发明（设计）人	李红浪;蔡飞达;李鹏旭;柯亚兵;田亚会;程利娜
主分类号	G06K19/07(2006.01)I	IPC主分类号	G06K19/07(2006.01)I;G01D5/48(2006.01)I;H02N2/18(2006.01)I
专利有效期	一种声表面波传感器芯片结构及传感器至一种声表面波传感器芯片结构及传感器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种声表面波传感器芯片结构，该结构包括，压电基片(21)和叉指换能器(20)；其中，叉指换能器(20)包括汇流条(22)和电极部分(23)，电极部分(23)设置为尖角结构；压电基片(21)用于积聚电能；叉指换能器(20)用于将电能转化为机械能，在传播路径上调制声波信号，通过逆压电效应，将机械能转化为电能，为声表面波传感器提供能量。本发明能够使SAW传感器的读写范围大大提升，实现更远距离的接收，满足传感器市场对于读写范围的需求。