专利详情

专利名称	阻变存储器的存储状态的调控方法
申请号	CN201710264856.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107134525A	公开（授权）日	2017.09.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	龙世兵;李磊磊;滕蛟;刘琦;吕杭炳;刘明
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	阻变存储器的存储状态的调控方法至阻变存储器的存储状态的调控方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请提供了一种阻变存储器的存储状态的调控方法。阻变存储器包括两个电极层与两个电极层之间的绝缘层，两个电极层分别是第一电极层与第二电极层，至少一个电极层为铁磁电极层，存储状态的调控方法包括：步骤S1，向两个电极层之间施加第一电压，使得至少一个铁磁电极层的电势高于另一个电极层的电势，使得绝缘层中形成磁通道；步骤S2，向两个电极层之间施加第二电压，使得一个铁磁电极层中的铁磁材料发生相变。该调控方法不涉及到导电细丝的断裂过程，缓解了电阻转变的波动性，使得RRAM形成的RRAM阵列得到更广泛地应用，该调控方法操作简单，能降低存储器外围电路设计成本低，有利于其大规模集成和实际应用。