
单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器及其制作方法
- 申请号:CN201710067201.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号:CN107045073A
- 公开(公开)日:2017.08.15
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器及其制作方法 | ||
申请号 | CN201710067201.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN107045073A | 公开(授权)日 | 2017.08.15 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明(设计)人 | 李伟;周晓峰;车录锋 |
主分类号 | G01P15/125(2006.01)I | IPC主分类号 | G01P15/125(2006.01)I;G01P15/08(2006.01)I |
专利有效期 | 单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器及其制作方法 至单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明提供一种单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器及其制作方法,其中,制作方法至少包括如下步骤:提供一上硅片、一下硅片,分别制作上电极盖板和下电极盖板;提供一中间硅片,于所述中间硅片的上表面和下表面预先形成未释放的折叠梁?质量块结构,然后释放所述折叠梁?质量块结构,从而形成中间电极;将所述上电极盖板和所述下电极盖板分别与所述中间电极对准并键合在一起;于所述上电极盖板上形成中间电极引线溅射槽;于所述上电极盖板上表面的选定区域、所述中间电极引线溅射槽内及所述下电极盖板下表面的选定区域形成焊盘。本发明利用单层硅片实现了双面对称的折叠弹性梁?质量块结构的设计及制作,制作工艺简单可控。 |
交易流程
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