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一类富含羰基、硫酮及硒砜官能基团的二维富碳材料制备方法及其应用

  • 申请号:CN201710314533.0
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院青岛生物能源与过程研究所
  • 公开(公开)号:CN107011504A
  • 公开(公开)日:2017.08.04
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 一类富含羰基、硫酮及硒砜官能基团的二维富碳材料制备方法及其应用
申请号 CN201710314533.0 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN107011504A 公开(授权)日 2017.08.04
申请(专利权)人 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 发明(设计)人 黄长水;王宁;王坤;吕青;杨泽;何建江
主分类号 C08G61/02(2006.01)I IPC主分类号 C08G61/02(2006.01)I;C08L65/00(2006.01)I;H01M4/587(2010.01)I
专利有效期 一类富含羰基、硫酮及硒砜官能基团的二维富碳材料制备方法及其应用 至一类富含羰基、硫酮及硒砜官能基团的二维富碳材料制备方法及其应用 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一类富含羰基(碳氧双键)、硫酮(碳硫双键)及硒砜(碳硒双键)官能基团的二维富碳材料制备方法及其应用,属材料应用领域。该类材料由含有羰基、硫酮及硒砜官能基团的共轭六元环以及炔键构成,上述共轭六元环的1,4位被羰基、硫酮或硒砜官能团取代,2,3,5,6位与炔键相连,相邻六元环之间存在两个炔键,构成高度共轭的二维平面骨架结构。其制备方法主要包含以下步骤:以四炔基取代的对苯醌等材料为聚合前体,在二氧六环溶液中进行炔烃的偶联反应,从而得到具有高度共轭结构的富碳二维材料。由于羰基、碳硫双键、及碳硒双键的引入,有效的提高了二维富碳材料的离子传输通道及储能活性点位,使其在储能器件领域具有良好的应用前景。

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