专利详情

专利名称	微流控芯片、其制作方法以及原位催化和检测方法
申请号	CN201610028885.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106975526A	公开（授权）日	2017.07.25
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	顾志鹏;王腾飞;陈红梅;刘静静;聂富强
主分类号	B01L3/00(2006.01)I	IPC主分类号	B01L3/00(2006.01)I;G01N21/65(2006.01)I
专利有效期	微流控芯片、其制作方法以及原位催化和检测方法至微流控芯片、其制作方法以及原位催化和检测方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种微流控芯片、其制作方法以及原位催化和检测方法，该微流控芯片是在硅基“Y”型通道内部加工出周期性尖峰微结构。该黑硅表面在经过氢氟酸氢化处理后，可实现银纳米粒子在尖峰微结构表面的原位化学生长，进而利用银-黑硅(Ag-BS)复合结构的大比表面积及粗糙度，提高了对硝基苯酚还原成对氨基苯酚催化反应的效率及反应活性。同时Ag-BS复合结构有助于表面等离子共振基元的形成，可用作表面增强拉曼散射(SERS)检测。该Ag-BS微纳结构复合器件在高度集成的化学合成、分析、生物传感及诊断等领域具有广阔的应用前景。