专利详情

专利名称	用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法
申请号	CN201511028246.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106935526A	公开（授权）日	2017.07.07
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	杨恒;豆传国;戈肖鸿;吴燕红;李昕欣
主分类号	H01L21/66(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/66(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法至用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法，包括以下步骤：1）提供硅片衬底，在硅片衬底内形成环形深槽；2）在硅片衬底表面及环形深槽侧壁形成第一绝缘层；3）在环形深槽内形成多晶硅电阻，并在环形深槽内及硅片衬底表面形成多晶硅引线；4）在多晶硅电阻及多晶硅引线表面形成第二绝缘层；5）在多晶硅电阻上方的环形深槽内形成多晶硅填充料层；6）在位于硅片衬底表面的多晶硅引线表面形成金属压焊块。本发明的用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器，适于硅通孔互连应力的测试与监控，测试原理简单，便于操作，测试精准度高；本发明的用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器的制备方法工艺步骤简单，利于产业化生产。