专利详情

专利名称	超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法
申请号	CN201510953170.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106898948A	公开（授权）日	2017.06.27
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;苏州纳睿光电有限公司	发明（设计）人	高雪;周坤;孙逸;冯美鑫;刘建平;孙钱;张书明;李德尧;张立群;杨辉
主分类号	H01S5/343(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/343(2006.01)I
专利有效期	超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法至超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明公开了一种超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法。所述外延结构包括从下到上依次设置的Si衬底、AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、GaN波导层、n型AlGaN层、n型或i型InGaN下波导层、有源区、p型或i型InGaN上波导层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN上光学限制层、p型或n型GaN或InGaN接触层。优选的，所述有源区采用i型InGaN/GaN多量子阱或量子点有源区。所述GaN波导层的厚度与所述超辐射发光二极管或激光器的脊形条宽相当。藉由本发明的所述外延结构，注入的载流子可以被有效的限制在很薄的有源区中，其复合产生的光强能够从有源区扩展到第一波导结构中，而因其中的GaN波导层较厚，该波导结构可以显著提高超辐射发光二极管、激光器的光束质量。