
一种萘酰亚胺?氟化二噻吩乙烯共轭聚合物及其制备方法与应用
- 申请号:CN201710213187.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院化学研究所
- 公开(公开)号:CN106866943A
- 公开(公开)日:2017.06.20
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种萘酰亚胺?氟化二噻吩乙烯共轭聚合物及其制备方法与应用 | ||
申请号 | CN201710213187.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN106866943A | 公开(授权)日 | 2017.06.20 |
申请(专利权)人 | 中国科学院化学研究所 | 发明(设计)人 | 张卫锋;陈智慧;魏聪源;于贵 |
主分类号 | C08G61/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C08G61/12(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I |
专利有效期 | 一种萘酰亚胺?氟化二噻吩乙烯共轭聚合物及其制备方法与应用 至一种萘酰亚胺?氟化二噻吩乙烯共轭聚合物及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 |
本发明公开了一种萘酰亚胺?氟化二噻吩乙烯共轭聚合物,其结构式如式(I)所示,该聚合物具有较宽的紫外?可见吸收光谱和良好的热学稳定性,具有较低的前沿轨道能级,有利于电子注入,可以制备较高性能的场效应晶体管。本发明的萘酰亚胺?氟化二噻吩乙烯共轭聚合物的合成路线简洁高效,聚合物分子量高,后处理简单,反应收率高,适合大规模工业合成。以本发明萘酰亚胺?氟化二噻吩乙烯共轭聚合物半导体材料为半导体层制备的有机场效应晶体管具有很高的电子迁移率 |
交易流程
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