一种生长四硼酸铝盐晶体的方法
- 申请号：CN201710071990.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院福建物质结构研究所
- 公开(公开)号：CN106835262A
- 公开(公开)日：2017.06.13
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种生长四硼酸铝盐晶体的方法 | ||
| 申请号 | CN201710071990.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN106835262A | 公开（授权）日 | 2017.06.13 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 林炎富;陈雨金;黄艺东;黄建华;龚兴红;罗遵度 |
| 主分类号 | C30B9/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B9/12(2006.01)I;C30B29/22(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种生长四硼酸铝盐晶体的方法 至一种生长四硼酸铝盐晶体的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及四硼酸铝盐晶体的生长方法。该方法采用新的NaF?AlF3?B2O3化合物体系作为助熔剂生长四硼酸铝盐晶体，可以减弱晶体生长过程中溶液某些成分的挥发，从而有效避免由于溶液某些成分的挥发所造成的晶体生长不稳定和晶体缺陷。采用本发明技术方案可生长获得大尺寸和高光学质量的四硼酸铝盐单晶，有利于提高利用该单晶制作的激光和非线性光学器件的性能。 | ||
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