专利详情

专利名称	高稳定性钴基永磁体、其制备方法及调控方法
申请号	CN201510867830.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106816247A	公开（授权）日	2017.06.09
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	赵江涛;孙颖莉;冯孝超;刘壮;李东;闫阿儒
主分类号	H01F1/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01F1/00(2006.01)I;H01F1/055(2006.01)I;C22C38/12(2006.01)I;C22C38/08(2006.01)I;C22C38/06(2006.01)I;C22C38/14(2006.01)I;C22C38/16(2006.01)I;C22C30/02(2006.01)I;C21D1/04(2006.01)I;C21D1/00(2006.01)I
专利有效期	高稳定性钴基永磁体、其制备方法及调控方法至高稳定性钴基永磁体、其制备方法及调控方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种高稳定性钴基永磁体、其制备方法及调控方法。所述永磁体主要由Co、Ni、Al、Ti、Cu、Fe及Nb等元素组成，所述永磁体具有周期调幅的纳米双相结构，所述纳米双相结构由结晶状均为立方结构的富FeCo析出相和富AlNi基体相组成，并且Nb元素在富AlNi基体相中偏聚分布。进一步的，所述富FeCo析出相具有细长棒状结构，并周期弥散分布在所述的富AlNi基体相中，且所述富FeCo析出相的轴向与所述柱状晶的轴向平行。本发明在所述永磁体的制备中通过严格控制定向凝固和热处理工艺，调节Co及Nb元素含量而调整磁体相结构、形貌及析出相的磁特性，从而调控磁体剩磁温度稳定性，得到剩磁随温度升高线性降低，且温度系数优于万分之一的高稳定性钴基永磁体。