专利详情

专利名称	一种晶体材料、其制备方法及包含其的非线性光学晶体
申请号	CN201611108475.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106757365A	公开（授权）日	2017.05.31
申请（专利权）人	中国科学院福建物质结构研究所	发明（设计）人	李淑芳;郭国聪;姜小明;徐忠宁;曾卉一
主分类号	C30B29/46(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/46(2006.01)I;C30B1/10(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I
专利有效期	一种晶体材料、其制备方法及包含其的非线性光学晶体至一种晶体材料、其制备方法及包含其的非线性光学晶体	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种晶体材料、其制备方法、包含其的非线性光学晶体材料及其在激光器中的应用。所述晶体材料化学式为[A₂M₄Q₇]_n或[AM₃Q₅]_n；A代表Na、K、Rb、Cs中的至少一种；M代表Ga和/或In；Q代表S和/或Se；1≤n≤4。该晶体材料具有优良的红外非线性光学性能，倍频强度可达同粒度商用AgGaS₂的7.0倍，激光损伤阈值可达商用AgGaS₂(可简写为AGS)的11倍。在中远红外波段激光倍频、和频、差频、光参量振荡等变频器件方面，具有重要的应用价值。