专利详情

专利名称	高、低温环境中材料二次电子特性参数的测量装置
申请号	CN201821672485.9	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN208999328U	公开（授权）日	2019.06.18
申请（专利权）人	中国科学院高能物理研究所; 东莞中子科学中心	发明（设计）人	王鹏程; 刘瑜冬; 刘盛画; 孙晓阳
主分类号	G01N23/2202	IPC主分类号	G01N23/2202; G01N23/2251
专利有效期	高、低温环境中材料二次电子特性参数的测量装置至高、低温环境中材料二次电子特性参数的测量装置	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了一种高、低温环境中材料二次电子特性参数的测量装置，该测量装置中二次电子探测器设置在真空室内，包括由外向内依次设置、均大于等于3/4球体的球壳收集极、球壳栅极和球壳接地极，且相互之间绝缘；二次电子探测器内还设置有样品台及其温度调节系统和角分布测量系统，电子枪所发出的电子束贯穿二次电子探测器入射至样品台。本装置可以测量高低温环境下金属材料及介质材料的二次电子发射系数、二次电子空间分布特性、以及二次电子能谱分布，还可以测量不同入射角度下的二次电子特性参数，通过对介质材料的快速加热可以有效中和介质表面所累积的电荷，节约了测量时间；并且通过引入校验机制，保证了测量结果的准确性、可靠性。