专利详情

专利名称	一种高灵敏度次声传感器
申请号	CN201822228481.8	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN209044067U	公开（授权）日	2019.06.28
申请（专利权）人	中国科学院声学研究所	发明（设计）人	李超; 林伟军; 崔寒茵
主分类号	G01V1/00	IPC主分类号	G01V1/00
专利有效期	一种高灵敏度次声传感器至一种高灵敏度次声传感器	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了一种高灵敏度次声传感器，包括：次声接收装置和膜振动光纤测量装置两个部分。其中，次声接收装置包括：前腔和后腔；其中，前腔顶面设置有进气口，前腔与后腔之间设有第一开口和第二开口，第一开口处设置有均压管，均压管使前腔与后腔连通，第二开口处设置有膜片，所诉后腔内位于第二开口处设有固定装置。膜振动光纤测量装置包括：光纤、耦合器、光探测器和单色光源，光纤一端通过固定装置固定，且端面与膜片平行，光纤另一端从后腔底面穿出并连接耦合器。运用光学测量膜片的振动信息，突出光学干涉测量位移的高灵敏度，可以测量到膜片纳米级的振动，能够实现次声传感器的高灵敏度。