专利详情

专利名称	用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置
申请号	CN201810521197.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108735570A	公开（授权）日	2018.11.02
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘新宇;汤益丹;王盛凯;白云;杨成樾
主分类号	H01J37/32(2006.01)I	IPC主分类号	H01J37/32(2006.01)I
专利有效期	用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置至用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置	法律状态	公开
说明书摘要	一种用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置，包括外腔体和设置在所述外腔体内的多个微孔/微纳结构双耦合谐振腔，其中所述谐振腔包括一圆柱形腔体，所述圆柱形腔体的周壁上均匀分布由多个微孔形成的微孔阵列，所述微孔的直径是波长的奇数倍，所述腔体的内壁上具有金属微纳结构，所述金属微纳结构的周期尺寸为λ/n，λ为入射波长，n为谐振腔材料的折射率，所述外腔体上设置有进气口，用于向所述外腔体内输送含氧气体，所述含氧气体在所述谐振腔周围形成用于氧化SiC的氧等离子体，所述谐振腔的下方设置有载物台。本发明的微波等离子体发生装置可实现高效、均匀性良好的SiC样品的氧化。