专利详情

专利名称	制备氮化镓基纳米环结构的方法
申请号	CN201810498089.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108682723A	公开（授权）日	2018.10.19
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	刘喆;冯梁森;张宁;王军喜;李晋闽
主分类号	H01L33/20(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/20(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I
专利有效期	制备氮化镓基纳米环结构的方法至制备氮化镓基纳米环结构的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种制备氮化镓基纳米环结构的方法，包括：在GaN外延片上旋涂一层聚合物，进行第一次纳米压印；压印结束后移去第一块纳米压印模板，使聚合物呈现与第一块纳米压印模板互补的图形；去除图形凹槽底部的聚合物；将聚合物图形转移到GaN外延片上，并对GaN外延片进行清洗，去掉聚合物；在GaN外延片上再次旋涂聚合物，将第二块纳米压印模板压在第二次旋涂的聚合物上面，进行第二次纳米压印，形成图形；进行脱模和等离子体轰击；在GaN外延片上图形的表面蒸镀一层ITO或金属作为掩膜，采用剥离的方法去掉GaN外延片表面的聚合物；刻蚀，得到纳米环结构；湿法腐蚀去掉ITO或者金属和聚合物，完成纳米环结构的制备。