专利详情

专利名称	镓镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法
申请号	CN201810130637.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108396383A	公开（授权）日	2018.08.14
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	齐红基;靳亚雪;潘明艳;邵建达;顾国瑞
主分类号	C30B29/28(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/28(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C09K11/80(2006.01)I
专利有效期	镓镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法至镓镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种镓镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法，镓和镱离子共掺YAG晶体的化学式为(Yb0.1Y0.9)3Al5?xGaxO12，式中x＝1，2，3，4，5，x为Ga离子的掺杂量，Ga离子进入晶体取代Al离子，Yb离子的掺杂量为10％，Yb离子进入晶体取代Y离子格位。本发明制备的(Yb0.1Y0.9)3Al5?xGaxO12超快闪烁晶体减小了带隙，湮没了反位缺陷，具有光产额高、抗辐照损伤强等优点，可应用于超快脉冲辐射探测、高能物理等领域。