专利详情

专利名称	约瑟夫森结结构、存储单元、存储单元阵列及制备方法
申请号	CN201810062542.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108364951A	公开（授权）日	2018.08.03
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李峰;彭炜;王镇
主分类号	H01L27/115(2017.01)I	IPC主分类号	H01L27/115(2017.01)I;H01L39/22(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I
专利有效期	约瑟夫森结结构、存储单元、存储单元阵列及制备方法至约瑟夫森结结构、存储单元、存储单元阵列及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种约瑟夫森结结构、存储单元、存储单元阵列及制备方法，约瑟夫森结结构的制备包括：提供半导体衬底，依次形成底层NbN材料层、中间铁磁材料层及顶层NbN材料层；刻蚀以得到由底层NbN层、中间铁磁层及顶层NbN层构成的约瑟夫森结；形成绝缘层以及配线层，且配线层至少与顶层NbN层电连接。通过上述方案，本发明的约瑟夫森结结构，基于单晶NbN材料，可以提高约瑟夫森结的响应频率，提高了基于该约瑟夫森结的存储器的速度，保证了与其匹配的SQF数字电路的速度优势得以发挥；通过合适的溅射气压、靶基距、混合气体比、溅射电流等，解决了单晶难以制备的问题；通过约瑟夫森结结构的设计以及中间铁磁层工艺的优化，解决了薄膜厚度难以控制的技术问题。