
纳米材料的图形化方法
- 申请号:CN201611252490.X
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 公开(公开)号:CN108263106A
- 公开(公开)日:2018.07.10
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 纳米材料的图形化方法 | ||
申请号 | CN201611252490.X | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN108263106A | 公开(授权)日 | 2018.07.10 |
申请(专利权)人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明(设计)人 | 袁伟;崔铮;顾唯兵;林剑 |
主分类号 | B41M1/12(2006.01)I | IPC主分类号 | B41M1/12(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
专利有效期 | 纳米材料的图形化方法 至纳米材料的图形化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种纳米材料的图形化方法,所述图形化方法包括以下步骤:提供一网板、一滤膜及一衬底;将所述网板覆盖于所述滤膜上,丝网印刷聚合物浆料,在所述滤膜的表面形成一图形化的聚合物浆料层;在所述聚合物浆料层的图形化区域沉积纳米材料,形成纳米材料结构;将所述纳米材料结构转印至所述衬底上。本发明提供的纳米材料的图形化方法,通过丝网印刷形成图像化的聚合物浆料层,然后在所述聚合物浆料层的图形化区域沉积纳米材料,形成图形化的纳米材料结构;最后将所述纳米材料结构转印至所述衬底上。所述图像化方法能够有效的实现纳米材料的图形化,提升纳米材料的图形化质量。 |
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