专利详情

专利名称	一种硅基多刺状纳米锥有序阵列的制备方法及其应用
申请号	CN201711185387.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108046211A	公开（授权）日	2018.05.18
申请（专利权）人	中国科学院合肥物质科学研究院	发明（设计）人	刘广强;杨绍松;赵倩;郭静;蔡伟平
主分类号	B82B3/00(2006.01)I	IPC主分类号	B82B3/00(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B82Y20/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种硅基多刺状纳米锥有序阵列的制备方法及其应用至一种硅基多刺状纳米锥有序阵列的制备方法及其应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种硅基多刺状纳米锥有序阵列的制备方法及其应用，包括：在硅片基底上制备紧密排列的单层有序PS球阵列；对硅片基底单层有序PS球阵列进行加热，再采用反应离子刻蚀法进行刻蚀，并且在刻蚀过程中至少对刻蚀电流进行一次大小调整，然后在刻蚀完成后去除硅片基底上的单层有序PS球阵列，从而制得硅基多刺状纳米锥有序阵列。以硅基多刺状纳米锥有序阵列为模板，采用物理沉积方法在其表面沉积一层金膜，制得沉积有金膜的硅基多刺状纳米锥有序阵列，可将其直接作为表面增强拉曼效应的衬底材料。本发明不仅制备方法简单、操作方便、成本低廉、经济环保，而且所制得的硅基多刺状纳米锥有序阵列构造面积大、均一性好、表面洁净、灵敏度高、检测性好。