一种制备Zn(S,O)多晶薄膜的方法
- 申请号：CN201710989585.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电工研究所
- 公开(公开)号：CN107919411A
- 公开(公开)日：2018.04.17
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种制备Zn(S,O)多晶薄膜的方法 | ||
| 申请号 | CN201710989585.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN107919411A | 公开（授权）日 | 2018.04.17 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 李辉;林新璐;屈飞;古宏伟;王文静 |
| 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L21/368(2006.01)I;C23C18/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种制备Zn(S,O)多晶薄膜的方法 至一种制备Zn(S,O)多晶薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种制备Zn(S,O)多晶薄膜的方法，采取化学水浴沉积法制备。主要采用锌盐，如乙酸锌、硫酸锌等、硫脲、氨水三种物质配成反应液，曲拉通为表面活性剂，反应溶液温度70?90℃，反应时间为20?200min，最后得到所需的Zn(S,O)多晶薄膜。 | ||
交易流程
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