专利详情

专利名称	一种直接X射线探测结构、探测器及探测结构制作方法
申请号	CN201710972261.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107819054A	公开（授权）日	2018.03.20
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	戴庆;李振军;白冰;李驰;陈科;周圣涵
主分类号	H01L31/119(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/119(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;G01T1/28(2006.01)I
专利有效期	一种直接X射线探测结构、探测器及探测结构制作方法至一种直接X射线探测结构、探测器及探测结构制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种直接X射线探测结构、探测器及探测结构制作方法。所述直接X射线探测结构包括：电子发射电极，包括用于吸收X射线的射线吸收面，以及电子出射面，所述电子发射电极中吸收所述X射线的能量的电子从所述电子出射面出射；隧穿层，位于所述电子出射面一侧，从所述电子出射面出射的电子穿过所述隧穿层，成为隧穿电子；电子接收电极，位于所述隧穿层远离所述电子发射电极的一侧，用于接收所述隧穿电子。其中，所述电子发射电极上连接的第一引线和所述电子接收电极上连接的第二引线与外部电路连接，以便检测电路中形成的隧穿电流。本发明实施例提供的技术方案具有结构简单，体积小、成本低、探测方便，响应时间快等一系列特点。