半导体装置及其制造方法
- 申请号：CN201711290244.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN107818943A
- 公开(公开)日：2018.03.20
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201711290244.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN107818943A | 公开（授权）日 | 2018.03.20 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体装置及其制造方法 至半导体装置及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 提供了一种半导体装置及其制造方法。一示例装置可以包括：体半导体衬底；在衬底上形成的彼此相邻的第一FinFET和第二FinFET，其中第一FinFET包括第一鳍以及与第一鳍相交的第一栅堆叠，第二FinFET包括第二鳍以及与第二鳍相交的第二栅堆叠，其中第一鳍和第二鳍沿相同的方向延伸且在该方向上对准；设于第一鳍与第二鳍之间的第一隔离部；以及位于第一隔离部下方、第一FinFET与第二FinFET之间的区域中的第二隔离部，用于降低第一FinFET和第二FinFET之间的穿通。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
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